供应高速光耦合成器HCPL-4504-500E

特性为TTL和IPM应用程序••短传播延迟15千伏/μs共模V瞬态免疫力高速光耦合成器HCPL-4504-500E

高速光耦合成器HCPL-4504-500E >为23% HCNW4504 >为19% HCPL-J454•通用IPM应用电气规范•TTL兼容•开启集电极输出•安全批准:UL认可- 3750 V rms/1min。适用于HCPL-4504/0454/J454 - 5000 V rms/1min。hcpl - 4504年选择020和HCNW4504 CSA批准IEC / EN / DIN EN 60747-5-2 - VIORM = 560 Vpeak批准hcpl - 0454选择060 - VIORM = 630 Vpeak hcpl - 4504年选择060 - VIORM = 891 Vpeak HCPL-J454 VIORM = 1414 Vpeak HCNW4504应用程序•逆变电路和智能功率模块(IPM)接口:高共模瞬态免疫力(> 10 kV /μs IPM的负载/驱动)和(tPLH - tPHL)指定(参见逆变器死时间部分)•接收器行:传输延迟短，输入输出电容低。高速逻辑接地:TTL/TTL, TTL/ CMOS, TTL/LSTTL高速光耦合成器HCPL-4504-500E

高速光耦合成器HCPL-4504-500E 0.1μF旁路电容器建议5和8针之间。HCPL-4504和HCPL-0454包含GaAsP LED，而HCPL-J454和HCNW4504包含AlGaAs LED。LED被光学耦合到一个集成的高增益光电探测器。HCPL-4504系列具有较短的传输延迟和较高的CTR。HCPL-4504系列还具有保证传输延迟差(tPLH-tPHL)。这些特点使得HCPL-4504系列成为IPM逆变器死区时间等开关问题的优秀解决方案。CTR、传播延迟和CMR都是针对TTL和IPM条件指定的，这些条件便于应用。这些单通道、二极管-晶体管光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。LED和集成光电探测器之间的绝缘层提供输入和输出之间的电绝缘。将光电二极管偏置和输出晶体管集电极分开连接，通过降低基极集电极电容，可以将速度提高到传统光电晶体管耦合器的100倍