供应NORFLASH-PC28F256P30B85

该设备支持三种编程方法:Word编程(40h/10h)、Buffered programming (E8h, D0h)和Buffered Enhanced Factory programming (80h, D0h)。有关向设备发出的各种编程命令的详细信息，请参阅第22页第5.0节“总线操作”。下面几节将详细描述设备编程。

成功的编程需要解锁已寻址的块。如果该块被锁定，则必须取消WP#的断言，并且在尝试对该块进行编程之前必须解锁该块。试图对锁定块进行编程会导致程序错误(SR[4]和SR[1]集)和操作终止。有关锁定和解锁块的详细信息，请参阅第37页的10.0节“安全模式”。

产品名称被分割成多个8-Mbit编程区域。请参阅第7页第1.4节“内存映射”以获得完整的寻址。就地执行(XIP)应用程序必须对内存进行分区，以便代码和数据位于单独的编程区域。XIP直接从闪存中执行代码。每个编程区域应该只包含代码或数据，而不是两者都包含。下面的术语定义了代码和数据之间的区别。在为P30设备划分代码和数据时，系统设计必须使用这些定义。•代码:系统中连续运行的flash设备执行代码。•数据:定期编程到flash设备并读取的信息(例如，在RAM中隐藏并执行的执行代码、图片、日志文件等)。

8.1词的编程

Word编程操作是通过向设备写入Word程序设置命令来启动的(请参阅第5节，第22页的“总线操作”)。然后，对设备进行第二次写入，其中包含要编程的地址和数据。读取时，设备输出状态寄存器数据。参见图34，“Word程序流程图”第80页。VPP必须大于VPPLK，并且在指定的VPPL min/ max值之内。

在编程过程中，写状态机(WSM)执行一系列内部定时的事件，这些事件在指定的位置对所需的数据位进行编程，并验证这些位是否已充分编程。编程闪存阵列将“1”变为“0”。内存数组中为零的位只能通过擦除块来更改为1(参见第35页9.0节“擦除操作”)。

状态寄存器可以通过读取任何地址来检查编程进度和错误。在向设备写入另一条命令之前，设备将保持读状态寄存器状态。

状态寄存器位SR[7]表示序列执行时的编程状态。在编程期间可以向设备发出的命令包括程序挂起、读取状态寄存器、读取设备标识符、读取CFI和读取数组(这将返回未知数据)。

当编程完成时，状态寄存器位SR[4](设置时)表示编程失败。如果设置了SR[3]， WSM将无法执行word编程操作，因为VPP超出了其可接受的限制。如果设置了SR[1]， word编程操作将尝试为锁定的块编程，从而导致操作中止。