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产品属性 | 属性值 | 选择属性 |
制造商: | MACOM |
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产品种类: | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
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RoHS: | 详细信息 |
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晶体管极性: | N-Channel |
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技术: | Si |
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Id-连续漏极电流: | 6 A |
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Vds-漏源极击穿电压: | 125 V |
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Rds On-漏源导通电阻: | - |
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工作频率: | 175 MHz |
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增益: | 18 dB |
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输出功率: | 30 W |
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zui小工作温度: | - 65 C |
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zui大工作温度: | %2B 150 C |
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安装风格: | SMD/SMT |
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封装 / 箱体: | 211-07-3 |
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封装: | Tray |
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商标: | MACOM |
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配置: | Single |
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Pd-功率耗散: | 115 W |
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产品类型: | RF MOSFET Transistors |
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工厂包装数量: | 20 |
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子类别: | MOSFETs |
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Vgs - 栅极-源极电压: | 40 V |
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Vgs th-栅源极阈值电压: | 2.5 V |
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单位重量: | 4.200 g |
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6 A
125 V
175 MHz
30 W