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产品属性 | 属性值 | 选择属性 |
制造商: | NXP |
|
产品种类: | 射频(RF)双极晶体管 |
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晶体管类型: | Bipolar |
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技术: | Si |
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晶体管极性: | NPN |
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工作频率: | 9 GHz |
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直流集电极/Base Gain hfe Min: | 60 |
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集电极—发射极zui大电压 VCEO: | 15 V |
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集电极连续电流: | 70 mA |
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zui大工作温度: | %2B 150 C |
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配置: | Single |
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安装风格: | SMD/SMT |
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封装 / 箱体: | SOT-23 |
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封装: | Reel |
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商标: | NXP Semiconductors |
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集电极—基极电压 VCBO: | 20 V |
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高度: | 1 mm |
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长度: | 3 mm |
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Pd-功率耗散: | 150 mW |
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产品类型: | RF Bipolar Transistors |
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工厂包装数量: | 3000 |
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子类别: | Transistors |
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类型: | RF Bipolar Small Signal |
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宽度: | 1.4 mm |
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零件号别名: | BFR520,215 |
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单位重量: | 201 mg |
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9 GHz
70 mA
+ 150 C
SOT-23