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产品属性 | 属性值 | 选择属性 |
制造商: | Infineon |
|
产品种类: | MOSFET |
|
RoHS: | 详细信息 |
|
技术: | Si |
|
安装风格: | SMD/SMT |
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封装 / 箱体: | SOIC-8 |
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晶体管极性: | N-Channel |
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通道数量: | 1 Channel |
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Vds-漏源极击穿电压: | 40 V |
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Id-连续漏极电流: | 18 A |
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Rds On-漏源导通电阻: | 5.9 mOhms |
|
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, %2B 20 V |
|
Vgs th-栅源极阈值电压: | 4 V |
|
Qg-栅极电荷: | 33 nC |
|
zui小工作温度: | - 55 C |
|
zui大工作温度: | %2B 150 C |
|
Pd-功率耗散: | 2.5 W |
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通道模式: | Enhancement |
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封装: | Reel |
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封装: | Cut Tape |
|
封装: | MouseReel |
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商标: | Infineon Technologies |
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配置: | Single |
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高度: | 1.75 mm |
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长度: | 4.9 mm |
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产品类型: | MOSFETs |
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工厂包装数量: | 4000 |
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子类别: | Transistors |
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晶体管类型: | 1 N-Channel |
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宽度: | 3.9 mm |
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单位重量: | 540 mg |
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