STGW30NC60WD原现，欢迎来询

产品属性

属性值

选择属性

制造商:

STMicroelectronics

产品种类:

绝缘栅双极晶体管(IGBT)

RoHS:

 详细信息

技术:

Si

封装 / 箱体:

TO-247-3

安装风格:

Through Hole

配置:

Single

集电极—发射极zui大电压 VCEO:

600 V

集电极—射极饱和电压:

2.1 V

栅极/发射极zui大电压:

- 20 V, 20 V

在25 C的连续集电极电流:

60 A

Pd-功率耗散:

200 W

zui小工作温度:

- 55 C

zui大工作温度:

%2B 150 C

系列:

STGW30NC60WD

封装:

Tube

商标:

STMicroelectronics

集电极连续电流:

30 A

集电极zui大连续电流 Ic:

60 A

栅极—射极漏泄电流:

100 nA

高度:

20.15 mm

长度:

15.75 mm

产品类型:

IGBT Transistors

工厂包装数量:

600

子类别:

IGBTs

宽度:

5.15 mm

单位重量:

38 g