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产品属性 | 属性值 | 选择属性 |
制造商: | STMicroelectronics |
|
产品种类: | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
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RoHS: | 详细信息 |
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晶体管极性: | N-Channel |
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技术: | Si |
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Id-连续漏极电流: | 6 A |
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Vds-漏源极击穿电压: | 125 V |
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zui小工作温度: | - 65 C |
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zui大工作温度: | %2B 200 C |
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封装 / 箱体: | M-113 |
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封装: | Bulk |
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商标: | STMicroelectronics |
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通道模式: | Enhancement |
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配置: | Single Dual Source |
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Pd-功率耗散: | 175 W |
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产品类型: | RF MOSFET Transistors |
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系列: |
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工厂包装数量: | 50 |
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子类别: | MOSFETs |
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类型: | RF Power MOSFET |
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Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
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单位重量: | 4.100 g |
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6 A
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