IPB043N10NF2S坚持原装,现货

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制造商:

Infineon

 

产品种类:

MOSFET

 

RoHS:

 详细信息

 

安装风格:

SMD/SMT

 

封装 / 箱体:

D2PAK-3 (TO-263-3)

 

晶体管极性:

N-Channel

 

通道数量:

1 Channel

 

Vds-漏源极击穿电压:

100 V

 

Id-连续漏极电流:

135 A

 

Rds On-漏源导通电阻:

4.35 mOhms

 

Vgs - 栅极-源极电压:

- 20 V, %2B 20 V

 

Vgs th-栅源极阈值电压:

2.2 V

 

Qg-栅极电荷:

57 nC

 

zui小工作温度:

- 55 C

 

zui大工作温度:

%2B 175 C

 

Pd-功率耗散:

167 W

 

通道模式:

Enhancement

 

系列:

XPB042N10

 

封装:

Reel

 

封装:

Cut Tape

 

商标:

Infineon Technologies

 

配置:

Single

 

下降时间:

8 ns

 

正向跨导 - zui小值:

70 S

 

产品类型:

MOSFET

 

上升时间:

71 ns

 

工厂包装数量:

800

 

子类别:

MOSFETs

 

典型关闭延迟时间:

27 ns

 

典型接通延迟时间:

18 ns

 

零件号别名:

IPB043N10NF2S SP005741998

 

 

公司成立2008年,拥有16年供货经验 

 

我们只从原厂或者代理商正规渠道进货,保证原厂原装。

 

本公司有海量现货,共有40万多种元器件。现货当天发货!

 

本公司还提供订货和代购服务。如现货库存不足,我们提供订货服务, 国外交货5-7个工作日

 

我们支持零售。解决样片采购难题,一片起卖,为您提供一站式BOM配单采购服务。

Qg-栅极电荷:

57 nC

最小工作温度:

- 55 C

最大工作温度:

+ 175 C

Pd-功率耗散:

167 W