IPB043N10NF2S坚持原装，现货

产品属性

属性值

选择属性

制造商:

Infineon

产品种类:

MOSFET

RoHS:

 详细信息

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

D2PAK-3 (TO-263-3)

晶体管极性:

N-Channel

通道数量:

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:

100 V

Id-连续漏极电流:

135 A

Rds On-漏源导通电阻:

4.35 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:

- 20 V, %2B 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:

2.2 V

Qg-栅极电荷:

57 nC

zui小工作温度:

- 55 C

zui大工作温度:

%2B 175 C

Pd-功率耗散:

167 W

通道模式:

Enhancement

系列:

XPB042N10

封装:

Reel

封装:

Cut Tape

商标:

Infineon Technologies

配置:

Single

下降时间:

8 ns

正向跨导 - zui小值:

70 S

产品类型:

MOSFET

上升时间:

71 ns

工厂包装数量:

800

子类别:

MOSFETs

典型关闭延迟时间:

27 ns

典型接通延迟时间:

18 ns

零件号别名:

IPB043N10NF2S SP005741998