AFT05MS031NR1主营NXP价格zui低

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制造商:

NXP

 

产品种类:

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

 

RoHS:

 详细信息

 

晶体管极性:

N-Channel

 

技术:

Si

 

Id-连续漏极电流:

7.5 A

 

Vds-漏源极击穿电压:

40 V

 

工作频率:

136 MHz to 520 MHz

 

增益:

17.7 dB

 

输出功率:

33 W

 

zui小工作温度:

- 40 C

 

zui大工作温度:

%2B 150 C

 

安装风格:

SMD/SMT

 

封装 / 箱体:

TO-270-2

 

封装:

Reel

 

封装:

Cut Tape

 

封装:

MouseReel

 

商标:

NXP Semiconductors

 

配置:

Single

 

湿度敏感性:

Yes

 

通道数量:

1 Channel

 

Pd-功率耗散:

294 W

 

产品类型:

RF MOSFET Transistors

 

系列:

AFT05MS031N

 

工厂包装数量:

500

 

子类别:

MOSFETs

 

晶体管类型:

LDMOS FET

 

类型:

RF Power MOSFET

 

Vgs - 栅极-源极电压:

%2B 12 V

 

Vgs th-栅源极阈值电压:

2.6 V

 

零件号别名:

935325665528

 

单位重量:

529.550 mg

 

公司成立2008年,拥有16年供货经验 

 

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Id-连续漏极电流:

7.5 A

Vds-漏源极击穿电压:

40 V

最小工作温度:

- 40 C

最大工作温度:

+ 150 C