FQP7N20只供应原装，现货，价低

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制造商:

onsemi

产品种类:

MOSFET

RoHS:

 详细信息

REACH - SVHC:

详细信息

技术:

Si

安装风格:

Through Hole

封装 / 箱体:

TO-220-3

晶体管极性:

N-Channel

通道数量:

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:

200 V

Id-连续漏极电流:

6.6 A

Rds On-漏源导通电阻:

690 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:

- 30 V, %2B 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压:

3 V

Qg-栅极电荷:

10 nC

zui小工作温度:

- 55 C

zui大工作温度:

%2B 150 C

Pd-功率耗散:

63 W

通道模式:

Enhancement

系列:

FQP7N20

封装:

Tube

商标:

onsemi / Fairchild

配置:

Single

下降时间:

35 ns

正向跨导 - zui小值:

4 S

高度:

16.3 mm

长度:

10.67 mm

产品类型:

MOSFET

上升时间:

65 ns

工厂包装数量:

1000

子类别:

MOSFETs

晶体管类型:

1 N-Channel

类型:

MOSFET

典型关闭延迟时间:

15 ns

典型接通延迟时间:

8 ns

宽度:

4.7 mm

单位重量:

2 g