FDA59N30保证原装，市场zui低价

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制造商:

onsemi

产品种类:

MOSFET

RoHS:

 详细信息

技术:

Si

安装风格:

Through Hole

封装 / 箱体:

TO-3PN-3

晶体管极性:

N-Channel

通道数量:

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:

300 V

Id-连续漏极电流:

59 A

Rds On-漏源导通电阻:

56 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:

- 30 V, %2B 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压:

3 V

Qg-栅极电荷:

100 nC

zui小工作温度:

- 55 C

zui大工作温度:

%2B 150 C

Pd-功率耗散:

500 W

通道模式:

Enhancement

封装:

Tube

商标:

onsemi / Fairchild

配置:

Single

下降时间:

200 ns

高度:

20.1 mm

长度:

16.2 mm

产品类型:

MOSFETs

上升时间:

575 ns

系列:

FDA59N30

工厂包装数量:

30

子类别:

Transistors

晶体管类型:

1 N-Channel

典型关闭延迟时间:

120 ns

典型接通延迟时间:

140 ns

宽度:

5 mm

零件号别名:

FDA59N30_NL

单位重量:

4.600 g