SIS862DN-T1-GE3原装现货支持实单

产品属性

属性值

选择属性

制造商:

Vishay

产品种类:

MOSFET

RoHS:

 详细信息

技术:

Si

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

PowerPAK-1212-8

晶体管极性:

N-Channel

通道数量:

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:

60 V

Id-连续漏极电流:

40 A

Rds On-漏源导通电阻:

7 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:

- 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:

1.5 V

Qg-栅极电荷:

32 nC

Pd-功率耗散:

52 W

通道模式:

Enhancement

商标名:

TrenchFET, PowerPAK

系列:

SIS

封装:

Reel

封装:

Cut Tape

封装:

MouseReel

商标:

Vishay Semiconductors

配置:

Single

下降时间:

5 ns

高度:

1.04 mm

长度:

3.3 mm

产品类型:

MOSFET

上升时间:

5 ns

工厂包装数量:

3000

子类别:

MOSFETs

晶体管类型:

1 N-Channel

典型关闭延迟时间:

20 ns

典型接通延迟时间:

12 ns

宽度:

3.3 mm

单位重量:

1 g