SCTL35N65G2V原厂原装，ST专营

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制造商:

STMicroelectronics

产品种类:

MOSFET

RoHS:

 详细信息

技术:

SiC

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

PowerFLAT-5

晶体管极性:

N-Channel

通道数量:

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:

650 V

Id-连续漏极电流:

40 A

Rds On-漏源导通电阻:

67 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:

- 10 V, + 22 V

Vgs th-栅源极阈值电压:

5 V

Qg-栅极电荷:

73 nC

Pd-功率耗散:

417 W

通道模式:

Enhancement

封装:

Reel

封装:

Cut Tape

封装:

MouseReel

商标:

STMicroelectronics

配置:

Single

下降时间:

14 ns

湿度敏感性:

Yes

产品类型:

MOSFET

上升时间:

ns

工厂包装数量:

3000

子类别:

MOSFETs

晶体管类型:

1 N-Channel

典型关闭延迟时间:

35 ns

典型接通延迟时间:

16 ns

单位重量:

180 mg