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产品属性 | 属性值 | 选择属性 |
制造商: | Infineon |
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产品种类: | MOSFET |
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RoHS: |
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技术: | Si |
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安装风格: | SMD/SMT |
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封装 / 箱体: | SOT-23-3 |
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晶体管极性: | N-Channel |
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通道数量: | 1 Channel |
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Vds-漏源极击穿电压: | 100 V |
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Id-连续漏极电流: | 170 mA |
|
Rds On-漏源导通电阻: | 2.9 Ohms |
|
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
|
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2.9 V |
|
Qg-栅极电荷: | 2.1 nC |
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Pd-功率耗散: | 360 mW |
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通道模式: | Depletion |
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资格: | AEC-Q101 |
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系列: |
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封装: | Reel |
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封装: | Cut Tape |
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封装: | MouseReel |
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商标: | Infineon Technologies |
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配置: | Single |
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下降时间: | 27 ns |
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高度: | 1.1 mm |
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长度: | 2.9 mm |
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产品: | MOSFET Small Signal |
|
产品类型: | MOSFET |
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上升时间: | 2.7 ns |
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工厂包装数量: | 6000 |
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子类别: | MOSFETs |
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晶体管类型: | 1 N-Channel |
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类型: | SIPMOS Small Signal Transistor |
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典型关闭延迟时间: | 11 ns |
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典型接通延迟时间: | 2.9 ns |
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宽度: | 1.3 mm |
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零件号别名: | BSS169 H6327 SP000702572 |
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单位重量: | 34 mg |
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SOT-23-3
170 mA
- 20 V, + 20 V
2.9 V