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产品属性 | 属性值 | 选择属性 |
制造商: | Infineon |
|
产品种类: | IGBT 模块 |
|
RoHS: |
| |
产品: | IGBT Silicon Modules |
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配置: | Half Bridge |
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集电极—射极饱和电压: | 2.5 V |
|
在25 C的连续集电极电流: | 290 A |
|
栅极—射极漏泄电流: | 400 nA |
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Pd-功率耗散: | 1.4 kW |
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封装 / 箱体: | Half Bridge2 |
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封装: | Tray |
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商标: | Infineon Technologies |
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高度: | 30 mm |
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长度: | 106.4 mm |
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安装风格: | Chassis Mount |
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产品类型: | IGBT Modules |
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工厂包装数量: | 10 |
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子类别: | IGBTs |
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技术: | Si |
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宽度: | 61.4 mm |
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零件号别名: | SP000014913 BSM200GB120DN2HOSA1 |
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Half Bridge2
1.4 kW
2.5 V
IGBT Modules