BSM200GB120DN2只做原装价美实在

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制造商:

Infineon

 

产品种类:

IGBT 模块

 

RoHS:

 详细信息

 

产品:

IGBT Silicon Modules

 

配置:

Half Bridge

 

集电极射极饱和电压:

2.5 V

 

25 C的连续集电极电流:

290 A

 

栅极射极漏泄电流:

400 nA

 

Pd-功率耗散:

1.4 kW

 

封装 / 箱体:

Half Bridge2

 

封装:

Tray

 

商标:

Infineon Technologies

 

高度:

30 mm

 

长度:

106.4 mm

 

安装风格:

Chassis Mount

 

产品类型:

IGBT Modules

 

工厂包装数量:

10

 

子类别:

IGBTs

 

技术:

Si

 

宽度:

61.4 mm

 

零件号别名:

SP000014913 BSM200GB120DN2HOSA1

 

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封装 / 箱体:

Half Bridge2

Pd-功率耗散:

1.4 kW

集电极—射极饱和电压:

2.5 V

产品类型:

IGBT Modules