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产品属性 | 属性值 | 选择属性 |
制造商: | Infineon |
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产品种类: | IGBT 模块 |
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RoHS: |
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产品: | IGBT Silicon Modules |
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配置: | Hex |
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集电极—射极饱和电压: | 2.3 V |
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在25 C的连续集电极电流: | 55 A |
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栅极—射极漏泄电流: | 400 nA |
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Pd-功率耗散: | 200 W |
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封装 / 箱体: | EconoPIM2 |
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封装: | Tray |
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商标: | Infineon Technologies |
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高度: | 17 mm |
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长度: | 107.5 mm |
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安装风格: | Chassis Mount |
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产品类型: | IGBT Modules |
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系列: |
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工厂包装数量: | 10 |
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子类别: | IGBTs |
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技术: | Si |
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商标名: |
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宽度: | 45 mm |
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零件号别名: | SP000083565 FP40R12KE3BOSA1 |
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单位重量: | 180 g |
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