SQJQ160E-T1_GE3原装威世价格优势

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制造商:

Vishay

产品种类:

MOSFET

RoHS:

 详细信息

技术:

Si

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

PowerPAK-8-8L-4

晶体管极性:

N-Channel

通道数量:

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:

60 V

Id-连续漏极电流:

602 A

Rds On-漏源导通电阻:

520 uOhms

Vgs - 栅极-源极电压:

- 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:

3.5 V

Qg-栅极电荷:

183 nC

Pd-功率耗散:

600 W

通道模式:

Enhancement

系列:

SQJ

封装:

Reel

封装:

Cut Tape

封装:

MouseReel

商标:

Vishay Semiconductors

下降时间:

19 ns

产品类型:

MOSFET

上升时间:

18 ns

工厂包装数量:

2000

子类别:

MOSFETs

晶体管类型:

1 N-Channel

典型关闭延迟时间:

60 ns

典型接通延迟时间:

20 ns