SI1416EDH-T1-BE3原装,威世价格优势

地区:广东 深圳
认证:

深圳市毅创辉电子科技有限公司

智享VIP智享VIP会员11年

全部产品 进入商铺

SI1416EDH-T1-BE3原装,威世价格优势

代理现货SI1416EDH-T1-BE3供应

有关咨询SI1416EDH-T1-BE3价格

SI1416EDH-T1-BE3供货情况

SI1416EDH-T1-BE3库存数量

SI1416EDH-T1-BE3规格书

SI1416EDH-T1-BE3产品购买,请联系!

产品属性

属性值

选择属性

制造商:

Vishay

 

产品种类:

MOSFET

 

RoHS:

 详细信息

 

技术:

Si

 

安装风格:

SMD/SMT

 

封装 / 箱体:

SOT-363-6

 

晶体管极性:

N-Channel

 

通道数量:

1 Channel

 

Vds-漏源极击穿电压:

30 V

 

Id-连续漏极电流:

3.9 A

 

Rds On-漏源导通电阻:

58 mOhms

 

Vgs - 栅极-源极电压:

- 12 V, + 12 V

 

Vgs th-栅源极阈值电压:

1.4 V

 

Qg-栅极电荷:

12 nC

 

Pd-功率耗散:

1.56 W

 

通道模式:

Enhancement

 

商标名:

TrenchFET

 

系列:

SI1

 

封装:

Reel

 

封装:

Cut Tape

 

封装:

MouseReel

 

商标:

Vishay / Siliconix

 

配置:

Single

 

下降时间:

50 ns

 

产品类型:

MOSFET

 

上升时间:

30 ns

 

工厂包装数量:

3000

 

子类别:

MOSFETs

 

晶体管类型:

1 N-Channel

 

典型关闭延迟时间:

15 ns

 

典型接通延迟时间:

1.5 ns

 

零件号别名:

SI1416EDH-T1-GE3

 

毅创辉电子成立2008年,拥有14年供货经验,主营ALTERA XILINX

 

我们只从原厂或者代理商正规渠道进货,保证原厂原装。

 

本公司有海量现货,共有40万多种元器件。现货当天发货!

 

本公司还提供订货和代购服务。如现货库存不足,我们提供订货服务, 国外交货5-7个工作日

 

我们支持零售。解决样片采购难题,一片起卖,为您提供一站式BOM配单采购服务。

封装 / 箱体:

SOT-363-6

Vds-漏源极击穿电压:

30 V

Id-连续漏极电流:

3.9 A

Qg-栅极电荷:

12 nC