SI1416EDH-T1-BE3原装，威世价格优势

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制造商:

Vishay

产品种类:

MOSFET

RoHS:

 详细信息

技术:

Si

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

SOT-363-6

晶体管极性:

N-Channel

通道数量:

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:

30 V

Id-连续漏极电流:

3.9 A

Rds On-漏源导通电阻:

58 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:

- 12 V, + 12 V

Vgs th-栅源极阈值电压:

1.4 V

Qg-栅极电荷:

12 nC

Pd-功率耗散:

1.56 W

通道模式:

Enhancement

商标名:

TrenchFET

系列:

SI1

封装:

Reel

封装:

Cut Tape

封装:

MouseReel

商标:

Vishay / Siliconix

配置:

Single

下降时间:

50 ns

产品类型:

MOSFET

上升时间:

30 ns

工厂包装数量:

3000

子类别:

MOSFETs

晶体管类型:

1 N-Channel

典型关闭延迟时间:

15 ns

典型接通延迟时间:

1.5 ns

零件号别名:

SI1416EDH-T1-GE3