SI2319CDS-T1-GE3现货，原包原装

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制造商:

Vishay

产品种类:

MOSFET

RoHS:

 详细信息

技术:

Si

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

SOT-23-3

晶体管极性:

P-Channel

通道数量:

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:

40 V

Id-连续漏极电流:

4.4 A

Rds On-漏源导通电阻:

77 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:

- 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:

1.2 V

Qg-栅极电荷:

21 nC

Pd-功率耗散:

2.5 W

通道模式:

Enhancement

商标名:

TrenchFET

封装:

Reel

封装:

Cut Tape

封装:

MouseReel

商标:

Vishay Semiconductors

配置:

Single

下降时间:

8 ns

高度:

1.45 mm

长度:

2.9 mm

产品类型:

MOSFET

上升时间:

9 ns

系列:

SI2

工厂包装数量:

3000

子类别:

MOSFETs

晶体管类型:

1 P-Channel

典型关闭延迟时间:

20 ns

典型接通延迟时间:

8 ns

宽度:

1.6 mm

零件号别名:

SI2319CDS-T1-BE3 SI2319CDS-GE3

单位重量:

8 mg