FCB070N65S3现货，原包原装

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制造商:

onsemi

产品种类:

MOSFET

RoHS:

 详细信息

技术:

Si

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

D2PAK-3

晶体管极性:

N-Channel

通道数量:

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:

650 V

Id-连续漏极电流:

44 A

Rds On-漏源导通电阻:

70 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:

- 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:

2.5 V

Qg-栅极电荷:

78 nC

Pd-功率耗散:

312 W

通道模式:

Enhancement

商标名:

SuperFET III

封装:

Reel

封装:

Cut Tape

封装:

MouseReel

商标:

onsemi / Fairchild

配置:

Single

下降时间:

16 ns

高度:

4.83 mm

长度:

10.67 mm

产品类型:

MOSFET

上升时间:

52 ns

系列:

FCB070N65S3

工厂包装数量:

800

子类别:

MOSFETs

晶体管类型:

1 N-Channel

典型关闭延迟时间:

89 ns

典型接通延迟时间:

26 ns

宽度:

9.65 mm

单位重量:

4 g