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产品属性 | 属性值 | 选择属性 |
制造商: | onsemi |
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产品种类: | MOSFET |
|
技术: | Si |
|
安装风格: | SMD/SMT |
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封装 / 箱体: | DPAK-3 |
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晶体管极性: | P-Channel |
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通道数量: | 1 Channel |
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Vds-漏源极击穿电压: | 40 V |
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Id-连续漏极电流: | 100 A |
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Rds On-漏源导通电阻: | 4.4 mOhms |
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Vgs - 栅极-源极电压: | - 16 V, + 16 V |
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Vgs th-栅源极阈值电压: | 3 V |
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Qg-栅极电荷: | 130 nC |
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Pd-功率耗散: | 227 W |
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通道模式: | Enhancement |
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资格: | AEC-Q101 |
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封装: | Reel |
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封装: | Cut Tape |
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封装: | MouseReel |
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商标: | onsemi |
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配置: | Single |
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下降时间: | 132 ns |
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产品类型: | MOSFET |
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上升时间: | 6 ns |
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工厂包装数量: | 2500 |
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子类别: | MOSFETs |
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典型关闭延迟时间: | 400 ns |
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典型接通延迟时间: | 10 ns |
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单位重量: | 330 mg |
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DPAK-3
40 V
100 A
227 W