SI4816BDY-T1-E3原装现货

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SI4816BDY-T1-E3原装现货

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制造商:

Vishay

 

产品种类:

MOSFET

 

RoHS:

 详细信息

 

技术:

Si

 

安装风格:

SMD/SMT

 

封装 / 箱体:

SOIC-8

 

晶体管极性:

N-Channel

 

通道数量:

2 Channel

 

Vds-漏源极击穿电压:

30 V

 

Id-连续漏极电流:

6.8 A, 11.4 A

 

Rds On-漏源导通电阻:

11.5 mOhms, 18.5 mOhms

 

Vgs - 栅极-源极电压:

- 20 V, + 20 V

 

Vgs th-栅源极阈值电压:

1 V

 

Qg-栅极电荷:

7.8 nC, 11.6 nC

 

Pd-功率耗散:

1.4 W, 2.4 W

 

通道模式:

Enhancement

 

商标名:

TrenchFET

 

封装:

Reel

 

封装:

Cut Tape

 

封装:

MouseReel

 

商标:

Vishay Semiconductors

 

配置:

Dual

 

下降时间:

9 ns, 11 ns

 

高度:

1.75 mm

 

长度:

4.9 mm

 

产品类型:

MOSFET

 

上升时间:

9 ns, 9 ns

 

系列:

SI4

 

工厂包装数量:

2500

 

子类别:

MOSFETs

 

晶体管类型:

2 N-Channel

 

典型关闭延迟时间:

24 ns, 31 ns

 

典型接通延迟时间:

11 ns, 13 ns

 

宽度:

3.9 mm

 

零件号别名:

SI4816BDY-E3

 

单位重量:

187 mg

 

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封装 / 箱体:

SOIC-8

Vds-漏源极击穿电压:

30 V

Id-连续漏极电流:

6.8 A, 11.4 A

Qg-栅极电荷:

7.8 nC, 11.6 nC