IRF640NSTRLPBF原装价美

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制造商:

Infineon

 

产品种类:

MOSFET

 

技术:

Si

 

安装风格:

SMD/SMT

 

封装 / 箱体:

TO-263-3

 

晶体管极性:

N-Channel

 

通道数量:

1 Channel

 

Vds-漏源极击穿电压:

200 V

 

Id-连续漏极电流:

18 A

 

Rds On-漏源导通电阻:

150 mOhms

 

Vgs - 栅极-源极电压:

- 20 V, + 20 V

 

Vgs th-栅源极阈值电压:

2 V

 

Qg-栅极电荷:

44.7 nC

 

Pd-功率耗散:

150 W

 

通道模式:

Enhancement

 

封装:

Reel

 

封装:

Cut Tape

 

封装:

MouseReel

 

商标:

Infineon Technologies

 

配置:

Single

 

下降时间:

5.5 ns

 

高度:

2.3 mm

 

长度:

6.5 mm

 

产品类型:

MOSFET

 

上升时间:

19 ns

 

工厂包装数量:

800

 

子类别:

MOSFETs

 

晶体管类型:

1 N-Channel

 

典型关闭延迟时间:

23 ns

 

典型接通延迟时间:

10 ns

 

宽度:

6.22 mm

 

零件号别名:

IRF640NSTRLPBF SP001561810

 

单位重量:

4 g

 

毅创辉电子成立2008年,拥有14年供货经验,主营ALTERA XILINX

 

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本公司有海量现货,共有40万多种元器件。现货当天发货!

 

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我们支持零售。解决样片采购难题,一片起卖,为您提供一站式BOM配单采购服务。

封装 / 箱体:

TO-263-3

Vds-漏源极击穿电压:

200 V

Id-连续漏极电流:

18 A

Vgs - 栅极-源极电压:

- 20 V, + 20 V