IRF640NSTRLPBF一路原装

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属性值

选择属性

制造商:

Infineon

产品种类:

MOSFET

技术:

Si

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

TO-263-3

晶体管极性:

N-Channel

通道数量:

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:

200 V

Id-连续漏极电流:

18 A

Rds On-漏源导通电阻:

150 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:

- 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:

2 V

Qg-栅极电荷:

44.7 nC

Pd-功率耗散:

150 W

通道模式:

Enhancement

封装:

Reel

封装:

Cut Tape

封装:

MouseReel

商标:

Infineon Technologies

配置:

Single

下降时间:

5.5 ns

高度:

2.3 mm

长度:

6.5 mm

产品类型:

MOSFET

上升时间:

19 ns

工厂包装数量:

800

子类别:

MOSFETs

晶体管类型:

1 N-Channel

典型关闭延迟时间:

23 ns

典型接通延迟时间:

10 ns

宽度:

6.22 mm

零件号别名:

IRF640NSTRLPBF SP001561810

单位重量:

4 g