FQT4N20L现货，一直原装

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制造商:

onsemi

产品种类:

MOSFET

技术:

Si

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

SOT-223-4

晶体管极性:

N-Channel

通道数量:

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:

200 V

Id-连续漏极电流:

850 mA

Rds On-漏源导通电阻:

1.35 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:

- 20 V, + 20 V

Pd-功率耗散:

2.2 W

通道模式:

Enhancement

封装:

Reel

商标:

onsemi / Fairchild

配置:

Single

下降时间:

40 ns

高度:

1.8 mm

长度:

6.5 mm

产品类型:

MOSFET

上升时间:

70 ns

系列:

QFET

工厂包装数量:

4000

子类别:

MOSFETs

晶体管类型:

1 N-Channel

典型关闭延迟时间:

15 ns

典型接通延迟时间:

7 ns

宽度:

3.5 mm

单位重量:

250.200 mg