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产品属性 |
属性值 |
选择属性 |
制造商: |
STMicroelectronics |
|
产品种类: |
IGBT 晶体管 |
|
RoHS: |
|
|
技术: |
Si |
|
封装 / 箱体: |
TO-247-3 |
|
安装风格: |
Through Hole |
|
配置: |
Single |
|
集电极—射极饱和电压: |
1.8 V |
|
在25 C的连续集电极电流: |
80 A |
|
Pd-功率耗散: |
283 W |
|
系列: |
|
|
封装: |
Tube |
|
商标: |
STMicroelectronics |
|
栅极—射极漏泄电流: |
250 nA |
|
产品类型: |
IGBT Transistors |
|
工厂包装数量: |
600 |
|
子类别: |
IGBTs |
|
单位重量: |
38 g |
|
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TO-247-3
283 W
40 A
250 nA