CSD19533KCS现货，只做原装

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制造商:

Texas Instruments

产品种类:

MOSFET

RoHS:

 详细信息

技术:

Si

安装风格:

Through Hole

封装 / 箱体:

TO-220-3

晶体管极性:

N-Channel

通道数量:

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:

100 V

Id-连续漏极电流:

100 A

Rds On-漏源导通电阻:

10.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:

- 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:

2.8 V

Qg-栅极电荷:

27 nC

Pd-功率耗散:

188 W

通道模式:

Enhancement

商标名:

NexFET

封装:

Tube

商标:

Texas Instruments

配置:

Single

下降时间:

2 ns

高度:

16.51 mm

长度:

10.67 mm

产品类型:

MOSFET

上升时间:

5 ns

系列:

CSD19533KCS

工厂包装数量:

50

子类别:

MOSFETs

晶体管类型:

1 N-Channel

典型关闭延迟时间:

12 ns

典型接通延迟时间:

7 ns

宽度:

4.7 mm

单位重量:

2 g