FDS6675BZ原包原装现货

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制造商:

onsemi

产品种类:

MOSFET

RoHS:

 详细信息

技术:

Si

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

SOIC-8

晶体管极性:

P-Channel

通道数量:

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:

30 V

Id-连续漏极电流:

11 A

Rds On-漏源导通电阻:

10.8 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:

- 25 V, + 25 V

Vgs th-栅源极阈值电压:

3 V

Qg-栅极电荷:

62 nC

Pd-功率耗散:

2.5 W

通道模式:

Enhancement

商标名:

PowerTrench

封装:

Reel

封装:

Cut Tape

封装:

MouseReel

商标:

onsemi / Fairchild

配置:

Single

下降时间:

60 ns

高度:

1.75 mm

长度:

4.9 mm

产品类型:

MOSFET

上升时间:

7.8 ns

系列:

FDS6675BZ

工厂包装数量:

2500

子类别:

MOSFETs

晶体管类型:

1 P-Channel

类型:

MOSFET

典型关闭延迟时间:

120 ns

典型接通延迟时间:

3 ns

宽度:

3.9 mm

单位重量:

130 mg