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存储器类型 |
易失 |
存储器格式 |
DRAM |
技术 |
SDRAM - 移动 LPDDR |
存储容量 |
256Mb (16M x 16) |
存储器接口 |
并联 |
时钟频率 |
200MHz |
写周期时间 - 字,页 |
15ns |
访问时间 |
5ns |
电压 - 供电 |
1.7V ~ 1.95V |
工作温度 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
安装类型 |
表面贴装型 |
封装/外壳 |
60-VFBGA |
供应商器件封装 |
60-VFBGA(8x9) |
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Micron Technology Inc.
\t DRAM
SDRAM - 移动 LPDDR
\t 256Mb (16M x 16)
200MHz
\t 1.7V ~ 1.95V