深圳安瑞尔科技供应全新进口原装BSM50GB120DN2

制造商：EUPEC   产品种类：IGBT 模块产品：IGBT Silicon Modules配置：Half Bridge Module集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V集电极—射极饱和电压：3.4 V在25 C的连续集电极电流：72 A栅极—射极漏泄电流：320 nA功率耗散：500 W最大工作温度：+ 150 C封装 / 箱体：Half Bridge1栅极/发射极最大电压：20 V安装风格：Screw

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