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供应 RD07MVS1B-101

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市浩时健电子有限公司

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RD07MVS1B是MOS FET型晶体管专为VHF/UHF RF功率放大器应用
特性：高功率增益：Pout>7W, Gp>10dB@Vdd=7.2V,f=520MHz高效率：60%typ. (175MHz)高效率：55%typ. (520MHz)
应用：对于输出的高功率放大器阶段VHF/UHF 频带移动无线sets
ROHS柔性：RD07MVS1B-101,T112是RoHS兼容产品.RoHS遵守表明该地段后由信“G”扣分.该产品包括高熔融高温型焊料中的铅.如何以往，它适用于RoHS方向以下情况除外.1.Lead高熔融焊锡（i.e.tin无铅焊料合金中含有较多的than85%领先.）