IDT6116SA20TDB Renesas 瑞萨电子 IDT 艾迪悌

特征

•高速接入

-军用：25/35/55/100ns（最大值）-商用：25/35/55/100ns（最大值）-商用：PLCC和TQFP中的20ns 7130

•低功率运行-IDT7130/IDT7140SA-有功：550mW（典型）-备用：5mW（典型）-IDT7130/IDT7140LA-有功：550mW（典型）-备用：1mW（典型）

•主IDT7130使用从IDT7140轻松地将数据总线宽度扩展到16位或更多位

•片上端口仲裁逻辑（仅限IDT7130）

•IDT7130上的忙输出标志；IDT7140上的忙输入

•端口到端口通信的中断标志

•从任一端口完全异步操作

•电池备份操作–2V数据保留（仅限LA）

•TTL兼容，单5V±10%电源

•军用产品符合MIL-STD-883，B级

•标准军用图纸#5962-86875

•工业温度范围（–40°C至+85°C）可用-

说明

IDT7130/IDT7140是高速1K x 8双端口静态RAM。IDT7130设计用于16位或更多字宽系统中的独立8位双端口RAM或“主”双端口RAM以及IDT7140“从”双端口。在16位或更多位存储器系统应用中使用IDT多机/从机双端口RAM方法，可实现全速、无错误操作，无需额外的离散逻辑。

这两个设备都提供了两个独立的端口，具有单独的控制、地址和I/O管脚，允许对内存中任何位置的读写进行独立的异步访问。由CE控制的自动断电功能允许每个端口的片上电路进入非常低的待机功率模式。

这些器件采用IDT的CMOS高性能技术制造，通常只工作在550mW的功率下。低功耗（LA）版本提供了电池备份数据保留功能，每个双端口通常从2V电池消耗200μW。

IDT7130/IDT7140器件封装在48针侧焊或塑料浸渍、LCC或扁平封装、52针PLCC、64针TQFP和STQFP中。军用级产品是根据最新版本的MIL-STD-883，B级制造的，使其非常适合要求最高性能和可靠性的军用温度应用。

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