用途*用於高壓、高速開關應用
■特征:*低正向壓降
*較小的總電容
*用於片式封裝
*較短的反向恢複時間
*有效圖形數 90000 只左右芯片尺寸：280μm×280μm
壓焊區尺寸：φ120μm
芯片厚度：180±10μm
锯片槽宽度：40μm
金屬層：正面:Al
2.3±10μm，背面:Au
1.4±10μm電特性(Ta=25℃)參 數 名 稱符 號測 試 條 件最 小最 大典型值單位反向電壓VRIR=0.1mA80 130V正向壓降VF
（1）IF=10mA 1.00.67VVF
（2）IF=100mA 1.20.92V反向漏電流IR
（1）VR=20V 25 nAIR
（2）VR=75V 1 μA總電容CTVR=0, f=1MHZ 3.02.0PF反向恢複時間trrIF=IR=10mA Irr=0.1×IR 4.0 ns
