MKP-HR SNUBBER薄膜电容器

　产品系数

  　μ0 为真空磁导率=4π*10(-7)。（10的负七次方）

　　μs 为线圈内部磁芯的相对磁导率，空心线圈时μs=1
　　N2 为线圈圈数的平方
　　S 线圈的截面积，单位为平方米
　　l 线圈的长度， 单位为米
　　k 系数，取决于线圈的半径（R)与长度(l)的比值。

　　计算出的电感量的单位为亨利（H）。

　　薄膜电容器由于其稳定性高、损耗低和体积轻小等优点，在电子领域中有广泛的应用，包括但不限于以下几个方面：
　　滤波器和耦合器: 在各种电子电路中，薄膜电容器常被用作滤波器和耦合器。它们能够提供精确的电容值，并且在高频和低频应用中表现稳定，用于去除电路中的杂散信号或传递信号。
　　振荡电路: 薄膜电容器常用于构建各种类型的振荡电路，如LC振荡器、晶体振荡器等。它们在振荡频率稳定性和低损耗方面表现优越。
　　精密测量仪器: 在需要高精度和稳定性的测量仪器中，薄膜电容器被广泛应用，如信号发生器、频率计、电桥等。
　　通信设备: 薄膜电容器在无线电频率选择性滤波器中扮演重要角色，用于调节和控制通信设备中的信号传输。
　　医疗设备: 在医疗设备中，例如心脏起搏器、医用超声波设备等，需要稳定和可靠的电子元件，薄膜电容器能够满足这些要求。
　　消费电子产品: 如电视机、音响系统、手机等消费电子产品中，薄膜电容器常被用于保证电路的性能和稳定性。