Microchip Technology 2Mb SST26VF020A NOR闪存

Microchip Technology 2Mb SST26VF020A NOR闪存是串行四路I/O? (SQI?) 系列闪存器件，设有六线和4位I/O接口。该六线、4位I/O接口支持低功耗和高性能运行，采用低引脚数封装。这些NOR闪存提高了性能和可靠性，同时降低了功耗。2Mb SST26VF020A闪存还支持与传统串行外设接口 (SPI) 协议的完整命令集兼容性。该系列器件在2.3V至3.6V单电源电压范围内写入（编程或擦除）。SST26VF020A NOR闪存提供软件写保护方案，可对内存阵列中的选定块进行群组保护。这些NOR闪存符合AEC-Q100标准和RoHS指令。

特性

单电压读写操作：
- 电压范围：2.7V至3.6V或2.3V至3.6V
串行接口架构：
- 半字节宽多路复用I/O，采用类似于SPI的串行命令结构：
  - 模式0和模式3
  - x1/x2/x4串行外设接口 (SPI) 协议
高速时钟频率：
- 2.7V至3.6V 104MHzzui大值（工业）
- 2.3V至3.6V 80MHzzui大值（工业和扩展）
突发模式：
- 连续线性突发
- 8/16/32/64字节线性突发，带环绕
出众的可靠性：
- 耐久性：100,000次（zui小值）
- 数据保留：>100年
低功耗：
- 有源读取电流：15mA（典型值，104MHz时）
- 待机电流：15?A（典型值）
擦除时间短：
- 扇区/块擦除：
  - 20ms（典型值）和25ms（zui大值）
- 芯片擦除：
  - 40ms（典型值）和50ms（zui大值）
页面编程：
- 在x1或x4模式下，每页256字节
写入结束检测：
- 软件轮询STATUS寄存器中的BUSY位
灵活的擦除功能：
- 统一4Kb扇区
- 统一32Kb重叠块
- 统一64Kb重叠块

写入-暂停：
- 暂停编程或擦除操作，以访问其他块/扇区
软件复位 (RST) 模式
软件写保护：
- 通过STATUS寄存器中的块保护位进行写保护
安全ID：
- yi次性可编程 (OTP) 2Kb安全ID：
  - 128位wei一和工厂预编程标识符
  - 用户可编程区域
温度范围：
- -40°C至85°C（工业范围）
- -40°C至125°C（扩展范围）
符合汽车类AEC-Q100标准
采用以下封装：
- 8触点WDFN (6mm x 5mm)
- 8引脚SOIC (3.90mm)
符合RoHS指令

PIC24FJ128GL302-I/SO

AVR128DA48-E/6LX

PIC18F26Q84-I/SP

AVR64DB48-E/6LX

SST26VF020A-104I/MF

AVR128DB32-E/PT

PIC24FJ128GL305-I/M4

PIC24FJ128GL303-I/M5

SST26VF020A-104I/MF

PIC24FJ128GL302-E/ML

PIC24FJ128GL302-E/SO

AVR64DB64-I/MR

AVR128DA64-I/PT

PIC18F26Q84-E/SP

AVR128DB48-E/6LX

AVR128DA64-I/MR

SST26VF020A-104I/MF

AVR32DB28-I/SP

AVR128DB48-E/PT

PIC24FJ128GL305-E/M4

SST26VF020A-104I/MF

AVR128DB64-I/MR

AVR128DA64-E/MR

型号/规格

SST26VF020A-104I/MF

品牌/商标

Microchip Technology

封装

WDFN-8

批号

SST26VF020A-104I/MF

电源电压-最小

2.7 V

Microchip SST26VF020A-104I/MF NOR闪存

Microchip Technology 2Mb SST26VF020A NOR闪存

特性