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Microchip 47L64T-I/MNY 存储器

地区：广东 深圳
认证： 无

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Microchip Technology 47L64 64-Kbit I2C EERAM

Microchip Technology 47L64 64-Kbit I2C EERAM具有SRAM内存内核，带隐藏EEPROM备份。47L64是一款全对称读/写SRAM，在任何电源中断的情况下，由器件处理备份到EEPROM。这样，该器件即可作为SRAM，永远不会丢失数据。该器件结构为一个64Kb SRAM，每个存储单元均具有EEPROM备份。SRAM组织为8,192 x 8位，采用I2C串行接口。

特性

  • 8,192 x 8位串行SRAM，带内部非易失性数据备份
  • I2C接口：高达3MHz，带施密特触发器输入，用于噪声抑制
  • 低功耗CMOS技术：有源电流：5mA（zui大值）；待机电流：500μA（zui大值）；休眠电流：3μA（zui大值）
  • 基于单元的非易失性备份逐单元镜像SRAM阵列，并行向/从SRAM单元传输所有数据（所有单元同时进行）
  • 用户不可见的数据传输：在器件内监控的VCC电平、电源中断时自动保存的SRAM、VCC返回时自动恢复的SRAM
  • 备份次数：至少100,000次（20°C时）
  • 保留期：100年（20°C时）
  • 工作电压范围：2.7V至3.6V
  • 温度范围：工业 (I) -40°C至85°C，扩展 (E) -40°C至125°C
  • 8-SOIC（150mil宽）封装；8-DFN (2x3mm) 封装

PIC18F15Q41-E/SO
PIC16F15275-E/MP
PIC16F15275-E/PT
47L64T-I/MNY
PIC24FJ32GP202-I/SS
AVR32DB28-I/SS
DSPIC33CK32MC103-I/M5
PIC24FJ32GP202-I/MV
47L64T-I/MNY
PIC18F16Q40-E/SO
AVR32DB28-I/SO
PIC16F15276-E/MP
PIC24FJ32GP202-I/SO
PIC24FJ64GP202-I/ML
47L64T-I/MNY
PIC18F14Q40-I/P
PIC24FJ64GP202-I/MV
PIC16F15245-I/P
DSPIC33CK32MC102-E/2N
DSPIC33CK64MC102-I/2N
PIC24FJ64GP202-I/SO
AVR64DB28-I/SS
47L64T-I/MNY
AVR32DB28-E/SS
AVR64DB28-I/SO
AVR128DA28-I/SS
PIC18F15Q40-I/P
PIC18F14Q41-I/P
PIC18F14Q40-E/P
PIC24FJ128GA702-E/SS
DSPIC33CK64MC103-I/M5
AVR32DB28-E/SO
AVR128DA28-I/SO
PIC18F55Q43-I/6LX
PIC18F45Q43-E/MP
PIC18F15Q41-I/P
PIC24FJ64GP203-I/M5
PIC24FJ64GU202-I/SS
AVR64DB32-I/PT
AVR32DB32-E/PT
AVR64DB28-E/SS
PIC24FJ64GU202-I/MV
PIC18F15Q40-E/P
PIC18F14Q41-E/P




型号/规格

47L64T-I/MNY

品牌/商标

Microchip Technology

封装

TDFN-8

批号

47L64T-I/MNY

最大时钟频率

1 MHz