TI DRV8353SRTAT 点火控制器和驱动器
地区:广东 深圳
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DRV835x采用智能栅极驱动 (SGD) 架构减少MOSFET换速率控制和保护电路通常所需的外部组件的数量。SGD架构还可优化死区时间以避免击穿问题,通过MOSFET转换率控制灵活降低电磁干扰 (EMI),以及通过VGS监视器防止出现栅极短路情况。强栅极下拉电路帮助避免出现不想要的dV/dt寄生栅极打开事件。
DRV8353SRTAT
Texas Instruments
WQFN-40
DRV8353SRTAT
6 V to 95 V
25 mA