TI CSD86356Q5D MOSFET 25-V

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Texas Instruments CSD86356Q5D同步降压NexFET电源块

Texas Instruments CSD86356Q5D同步降压NexFET?电源块提供高电流、高效率和高频性能,采用小型封装。CSD86356Q5D是一个经过优化的设计,用于同步降压和5V栅极驱动应用。该器件在25A时的系统效率为93%。CSD86356Q5D是一套灵活的解决方案,结合外部控制器/驱动器的任何5V栅极驱动时能够提供高密度电源。

特性

  • 半桥电源块
  • 系统效率:93.0%(25A时)
  • 工作电流高达40A
  • 高频工作(高达1.5MHz)
  • 高密度SON 5mm×6mm占位尺寸
  • 针对5V栅极驱动进行优化
  • 低切换损失
  • 超低电感封装
  • 符合RoHS指令
  • 无卤素
  • 端子无铅电镀

应用

  • 同步降压转换器
  • 高频应用
  • 大电流、低占空比应用
  • 多相同步降压转换器
  • POL DC-DC转换器
  • IMVP、VRM和VRD应用

TPS61305YFFR
TPS61183RTJR
CSD86356Q5D
TLC5945PWPR
LP8556SQX-E00/NOPB
LP8556SQX-E09/NOPB
CSD86356Q5
HPA00537PWPRG4
LM3509SDX/NOPB
TPS61165DRVTG4
CSD86356
LP8545SQX/NOPB
LP8862QPWPRQ1
TLC5944PWPR
LM3528TMX/NOPB
CSD86356Q
TLC5949PWPR
LM3631YFFR
LM36273YFFR
TLC5949DBQR
TLC5945RHBR
TPS60252RTET
TPS61180RTETG4
LM3423MHX/NOPB
LP8553TLE/NOPB
TLC6946DBQR
TLC6948RGER
TLC5920DLRG4
HPA00209DAPR
LM3406HVQMHQ1
TPS92020D
TPS92023D
LM3537TME/NOPB
TPS92690Q1PWPR/NOPB
TPS61059DRCT
TLC5960DAR
LM3421Q1MHX/NOPB
HPA00669PWPR
TPS61140DRCTG4
TPS61150ADRCTG4
TPS61140DRCT
TLC5948ADBQ
TLC5948APWP
LM3424QMH/NOPB
LP8543SQ/NOPB
TLC5943RHBR
TPS61195RUYR
TLC6948DBQR
TLC5946RHBTG4
TPS92518QPWPTQ1
TPS61300YFFT
TPS61305YFFT
TLC5946PW
TLC5946PWP
TLC59461PWP
LM3423Q1MH/NOPB
LP8555YFQR
TPS61183RTJT
TLC5940PWPRG4
TLC5941PWPG4
TLC5945PWP
LP3952RLX/NOPB
LP8864SQRHBRQ1
LP8556SQE-E00/NOPB
LP8556SQE-E08/NOPB
LP8556SQE-E09/NOPB
LM3501TL-16/NOPB




型号/规格

CSD86356Q5D

品牌/商标

Texas Instruments

封装

VSON-CLIP-8

批号

CSD86356Q5D

通道数量

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压

25 V

d-连续漏极电流

40 A