ADI ADRF5515BCPZN-R7射频前端

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Analog Devices Inc. ADRF5515接收器前端

ADRF5515BCPZN-R7接收器前端是一款双通道、集成射频、前端、多芯片模块,设计用于时分双工 (TDD) 应用。ADRF5515前端采用双通道配置,包含级联两级LNA和大功率硅 SPDT 开关。

ADRF5515BCPZN-R7接收器前端具有高增益模式和关断模式。在高增益模式下,级联两级LNA和开关提供1.0dB的低噪声系数和33dB的高增益(频率为3.6GHz)以及32dBm(典型值)的输出3阶交调截点 (OIP3)。在低增益模式下,两级LNA的yi级处于旁路状态,在36mA的较低电流下提供16dB的增益。在关断模式下,LNA将关闭,器件耗流为12mA。

在发射过程中,当射频输入连接到端电极引脚(TERM-CHA或TERM-CHB)时,该开关提供0.45dB的低插入损耗, 它可处理43dBm长期演进 (LTE) 平均功率(9dB峰值/平均比 (PAR)),以便在整个使用寿命内工作。ADRF5515与10W版本的ADRF5545A(工作频率范围为2.4GHz至4.2GHz)引脚兼容。

ADRF5515BCPZN-R75在射频端口上无需任何内部匹配至50Ω的匹配元件。ANT和TERM端口也在内部交流耦合。因此,仅接收器端口需要外部直流阻断电容器。

ADRF5515BCPZN-R7的工作频率范围为3.3GHz至4.0GHz,采用符合RoHS指令的紧凑型6mm × 6mm、40引脚LFCSP封装。

特性

  • 集成式双通道射频前端
    • 2级LNA和大功率硅SPDT开关
    • 片上偏置和匹配
    • 单电源供电
  • 增益
    • 高增益模式:33dB(典型值)
    • 低增益模式:16dB(3.6GHz时典型值)
  • 低噪声系数
    • 高增益模式:1.0dB(3.6GHz时典型值)
    • 低增益模式:1.0dB(3.6GHz时典型值)
  • 高隔离度
    • RXOUT-CHA和RXOUT-CHB:45dB(典型值)
    • TERM-ChA和TERM-CHB:60dB(典型值)
  • 低插入损耗:0.45dB(3.6GHz时典型值)
  • 0TCASE = 105°C时具有高功率处理能力
    • 整个生命周期
      • LTE平均功率 (9dB PAR):43dBm
  • 高OIP3(高增益模式):32dBm(典型值)
  • 关断模式和低增益模式(针对LNA)
  • 低电源电流
    • 高增益模式:86mA(5V时典型值)
    • 低增益模式:36mA(5V时典型值)
    • 关断模式:12mA(5V时典型值)
  • 正逻辑控制
  • 6mm × 6mm、40引脚LFCSP封装
  • 与10W版本的ADRF5545A引脚兼容

应用

  • 无线基础设施
  • TDD大规模多输入和多输出以及有源天线系统
  • 基于TDD的通信系统





型号/规格

ADRF5515BCPZN-R7

品牌/商标

Analog Devices

封装

LFCSP-40

批号

584-ADRF5515BCPZN-R7

工作频率

3.3 GHz to 4 GHz

NF—噪声系数

1 dB

工作电源电压

5 V

工作电源电流

+/- 36 mA, +/- 86 mA

最大工作温度

+ 105 C