Texas Instruments SN74SSTUB32866可配置寄存缓冲器

Texas Instruments SN74SFU32866可配置寄存缓冲器可调节至25位1:1或14位1:2，设计用于1.7V至1.9V VCC运行。1:1引脚分配配置每个DIMM仅需一个器件即可驱动9个SDRAM负载。1:2引脚分配配置每个DIMM需要两个器件即可驱动18个SDRAM负载。

除复位 (RESET) 和控制 (Cn) 输入 (LVCMOS) 外，所有输入均为SSTL_18。所有输出均为边缘控制电路，优化用于未端接DIMM负载，符合SSTL_18规范，开漏误差 (QERR) 输出除外。TI SN74SSTUB32866可配置寄存缓冲器采用差分时钟（CLK和CLK）工作。数据在CLK高电平和CLK低电平交叉点寄存。

特性

Texas Instruments Widebus+?系列成员
引脚分配优化DDR2 DIMM PCB布局
可配置为25位1:1或14位1:2寄存缓冲器
芯片选择输入从变化状态进入数据输出，并zui大限度地降低系统功耗
输出边缘控制电路可zui大限度地降低未端接线路中的开关噪声
支持SSTL_18数据输入

差分时钟（CLK和CLK）输入
支持控制和RESET输入上的LVCMOS开关电平
检查与DIMM无关的数据输入上的奇偶校验
能够与第二SN74SSTUB32866级联
支持工业温度范围（-40°C至85°C）

LM3405XMKX/NOPB

LP5009RUKR

LM3407MYX/NOPB

LM3405AXMKE/NOPB

TLC6C598QPWRQ1

SN74SSTUB32866NMJR

LP5562TMX/NOPB

LP5521TMX/NOPB

LP5012RUKR

LM3401MMX/NOPB

LM3409MYX/NOPB

SN74SSTUB32866NMJR

TPS61042DRBR

TPS61043DRBR

TLC59281RGER

LM3409HVMYX/NOPB

SN74SSTUB32866NMJR

TPS92691PWPR

TLC5928PWR

TPS61040DRVR

TPS75100DSKR

TPS61040DDCR

LM3409QMYX/NOPB

LP5018RSMR

TLC6C5912QPWRQ1

TPS92691QPWPRQ1

TLC5917IDR

SN74SSTUB32866NMJR

TPS61181RTER

TLC5928RGER

TLC5929PWPR

LP5569ARTWR

TCA6507RUER

TLC6C5912QDWRQ1

TLC59283RGET

型号/规格

SN74SSTUB32866NMJR

品牌/商标

Texas Instruments

封装

NFBGA-96

批号

SN74SSTUB32866NMJR

传播延迟时间

1.5 ns

TI SN74SSTUB32866NMJR 寄存器

Texas Instruments SN74SSTUB32866可配置寄存缓冲器

特性