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TMS570LS1227采用1.25MB集成闪存和192KB数据RAM,具有单位纠错和双位错误检测功能。该器件的闪存是一款非易失性、可电擦除的可编程内存。它通过64位宽数据总线接口实现。对于所有读取、编程和擦除操作,该闪存在3.3V电源输入(与I/O电源相同的电平)下工作。在管道模式下,闪存的系统时钟频率高达180MHz。SRAM在所支持的整个频率范围内支持单字节、半字、单字和双字模式下的单周期读写访问。
TMS570LS1227具有用于实时控制应用的外设,包括2个下一代高端定时器 (N2 HET) 时序协处理器,I/O端子多达44个,7个增强型正交编码器脉冲 (ePWM) 模块,具有多达14个输出、6个增强型捕获 (eCAP) 模块,2个增强型正交编码器脉冲 (eQEP) 模块,和2个12位模数转换器 (ADC),支持多达24路输入。
LP8864SQRHBRQ1 |
LP8556SQE-E00/NOPB |
LP8556SQE-E08/NOPB |
LP8556SQE-E09/NOPB |
LM3501TL-16/NOPB |
TMS5701227CPGEQQ1 LP55281RL/NOPB |
LM3431MHX/NOPB |
LM3431AMHX/NOPB |
TLC5940RHBRG4 |
TMS5701227CPGEQQ1 TLC5941RHBTG4 |
LM3492QMHX/NOPB |
TLC5949PWP TMS5701227CPGEQQ1 |
TLC5944PWP |
TMS5701227CPGEQQ1
Texas Instruments
LQFP-144
TMS5701227CPGEQQ1
1.25 MB
32 bit/16 bit