TI LMG3422R030RQZT门驱动器

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Texas Instruments LMG342xR030 GaN场效应晶体管 (FET)

Texas Instruments LMG342xR030 GaN场效应晶体管 (FET) 具有集成驱动器和保护功能,可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。

Texas Instruments LMG342xR030集成了一个硅驱动器,可实现高达150V/ns的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比,TI的集成精密栅极偏置可实现更高的开关SOA。这种集成特性与TI的低电感封装技术相结合,可在硬开关电 源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在20V/ns至150V/ns之间,这可用于主动控制EMI并优化开关性能。LMG3425R030包含理想二极管模式,该模式通过启用自适应死区时间控制来降低第三象限损耗。

gao级电源管理功能包括数字温度bao告和故障检测。GaN FET的温度通过可变占空比PWM输出进行bao告,这可简化器件加载管理。bao告的故障包括过热、过流和UVLO监控。

特性

  • 符合面向硬开关拓扑的JEDEC JEP180标准
  • 带集成栅极驱动器的600V GaN-on-Si FET
    • 集成高精度栅极偏置电压
    • CMTI:200V/ns
    • 开关频率:2.2MHz
    • 30V/ns至150V/ns压摆率,用于优化开关性能和缓解EMI
    • 在7.5V至18V电源下工作
  • gao级电源管理
    • 数字温度PWM输出
    • 理想二极管模式可减少LMG3425R030中的第三象限损耗
  • 强大的保护功能
    • 响应时间少于100ns的逐周期过流和锁存短路保护
    • 硬开关时可承受720V浪涌
    • 针对内部过热和UVLO监控的自我保护

应用

  • 高密度工业电源
  • 光伏逆变器和工业电机驱动器
  • 不间断电源
  • 商户网络和服务器PSU
  • 商用电信用整流器

LP8556SQX-E08/NOPB
LMG3422R030RQZT  HPA00537PWPRG4
LM3509SDX/NOPB
TPS61165DRVTG4
LP8543SQX/NOPB
LP8545SQX/NOPB
LP8862QPWPRQ1
LMG3422R030RQZT   TLC5944PWPR
LM3528TMX/NOPB
TLC5944PWPRG4
TLC5949PWPR
LMG3422R030RQZT   LM3631YFFR
LM36273YFFR
TLC5949DBQR
TLC5945RHBR
TPS60252RTET
TPS61180RTETG4
LM3423MHX/NOPB
LP8553TLE/NOPB
LMG3422R030RQZT   TLC6946DBQR
TLC6948RGER
TLC5920DLRG4
HPA00209DAPR
LM3406HVQMHQ1




型号/规格

LMG3422R030RQZT

品牌/商标

Texas Instruments

封装

VQFN-54

批号

LMG3422R030RQZT

激励器数量

1 Driver