TK13P25D,RQ MOSFET Toshiba

封装:DPAK-3

通道数量:1Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:250V

Id-连续漏极电流:13A

RdsOn-漏源导通电阻:250mOhms

Vgs-栅极-源极电压:20V

Vgsth-栅源极阈值电压:1.5V

Qg-栅极电荷:25nC

最小工作温度:-55C

最大工作温度:+150C

Pd-功率耗散:96W

配置:Single

通道模式:Enhancement

系列:TK13P25D

晶体管类型:1N-Channel

品牌:Toshiba

下降时间:20ns

产品类型:MOSFET

上升时间:40ns

我们的方案类型包括有标准显示器，ATV电视，车载显示器，

DLP/LCD投影机，医疗显示器，摄影显示器，视频拼接分割，

以及各种专业领域显示器。特别是在客户专案制定这块，

我们有丰富的经验，可以根据不同项目的要求开发出相对应的软硬件产品。

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