FQP19N20C晶体管MOSFET

FQP19N20C的主要参数

型号：FQP19N20C

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

 技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:200 V

Id-连续漏极电流:19 A

Rds On-漏源导通电阻:170 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:139 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:QFET

封装:Tube

高度:16.3 mm 

长度:10.67 mm

 系列:FQP19N20C

 晶体管类型:1 N-Channel

 类型:MOSFET 

宽度:4.7 mm 

商标:ON Semiconductor / Fairchild 

正向跨导 - 最小值:10.8 S 

下降时间:115 ns 

产品类型:MOSFET 

上升时间:150 ns 

工厂包装数量:1000 

子类别:MOSFETs 

典型关闭延迟时间:135 ns 

典型接通延迟时间:15 ns 

零件号别名:FQP19N20C_NL 

单位重量:1.800 g

Mouser编号：512-FQP19N20C

制造商编号：FQP19N20C

制造商：ON Semiconductor / Fairchild

说明：MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET

公司简介：

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