FDD8896 晶体管 MOSFET

FDD8896的主要参数

型号：FDD8896

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

 技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:94 A

Rds On-漏源导通电阻:5.7 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:80 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:PowerTrench

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.39 mm

 长度:6.73 mm 

系列:FDD8896 

晶体管类型:1 N-Channel 

类型:MOSFET 

宽度:6.22 mm 

商标:ON Semiconductor / Fairchild 

下降时间:41 ns

 产品类型:MOSFET 

上升时间:106 ns 

工厂包装数量:2500

 子类别:MOSFETs 

典型关闭延迟时间:53 ns 

典型接通延迟时间:9 ns 

零件号别名:FDD8896_NL 

单位重量:260.370 mg

公司简介：

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