SPW35N60C3 晶体管 MOSFET

SPW35N60C3的主要参数

型号：SPW35N60C3

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

 技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:PG-TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:34.6 A

Rds On-漏源导通电阻:100 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:150 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:313 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:CoolMOS

封装:Tube

高度:21.1 mm 

长度:16.13 mm

 系列:CoolMOS C3

 晶体管类型:1 N-Channel 

宽度:5.21 mm

 商标:Infineon Technologies

 正向跨导 - 最小值:36 S

 下降时间:10 ns

 产品类型:MOSFET 

上升时间:5 ns 

工厂包装数量:240 

子类别:MOSFETs 

典型关闭延迟时间:70 ns 

典型接通延迟时间:10 ns 

零件号别名:SP000014970 SPW35N60C3FKSA1 SPW35N6C3XK

 单位重量:38 g

Mouser编号：726-SPW35N60C3

制造商编号：SPW35N60C3

制造商：Infineon Technologies

说明：MOSFET N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3

公司简介：

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