FZT651双极结型晶体管(BJT)

地区:广东 深圳
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FZT651的主要参数

型号:FZT651

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-223-3

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V

集电极—基极电压 VCBO:80 V

发射极 - 基极电压 VEBO:7 V

集电极—射极饱和电压:0.43 V

最大直流电集电极电流:3 A

增益带宽产品fT:175 MHz

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

直流电流增益 hFE 最大值:300

 封装:Cut Tape

 封装:MouseReel 

封装:Reel 

商标:Diodes Incorporated 

集电极连续电流:3 A

 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 

Pd-功率耗散:3 W

 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors 

资格:AEC-Q101 

工厂包装数量:4000 

子类别:Transistors

 单位重量:112 mg

Mouser编号:621-FZT651QTC

制造商编号:FZT651QTC

制造商:Diodes Incorporated

说明:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 4K

公司简介:


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型号

FZT651

封装

SOT-223

厂商

Diodes Incorporated

数量

4000

重量

112mg