BD237G 双极结型晶体管(BJT)

BD237G的主要参数

型号：BD237G

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

 安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-225-3

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:80 V

集电极—基极电压 VCBO:100 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—射极饱和电压:0.6 V

最大直流电集电极电流:2 A

增益带宽产品fT:3 MHz

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:BD237

高度:11.04 mm (Max) 

长度:7.74 mm (Max)

 封装:Bulk

 宽度:2.66 mm (Max)

商标:ON Semiconductor 

集电极连续电流:2 A

 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 

Pd-功率耗散:25 W 

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors 

工厂包装数量:500 

子类别:Transistors 

单位重量:680 mg

Mouser编号：863-BD237G

制造商编号：BD237G

制造商：ON Semiconductor

说明：双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 2A 80V 25W NPN

公司简介：

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