BC856B 分立半导体 双极结型晶体管

地区:广东 深圳
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BC856B的主要参数

型号:BC856B

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

 安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

晶体管极性:PNP

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:65 V

集电极—基极电压 VCBO:80 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

最大直流电集电极电流:0.1 A

增益带宽产品fT:200 MHz

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

高度:1 mm 

长度:2.9 mm 

封装:Reel 

宽度:1.3 mm 

商标:ON Semiconductor / Fairchild 

直流集电极/Base Gain hfe Min:220

 Pd-功率耗散:300 mW 

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors 

子类别:Transistors 

单位重量:8 mg

Mouser编号:512-BC856B

制造商编号:BC856B

制造商:ON Semiconductor / Fairchild

说明:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SOT-23 PNP GP AMP

公司简介:


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型号/规格

BC856B

品牌/商标

NXP(恩智浦)

封装形式

SOT-23

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装