ATF-58143-TR1G 射频结栅场效应晶体管

ATF-58143-TR1G的主要参数

型号：ATF-58143-TR1G

制造商:Broadcom Limited

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

 晶体管类型:EpHEMT

技术:GaAs

增益:16.5 dB

Vds-漏源极击穿电压:5 V

Vgs-栅源极击穿电压 :- 5 V to 1 V

Id-连续漏极电流:100 mA

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-343

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

配置:Single Dual Source 

工作频率:2 GHz

 产品:RF JFET 

类型:GaAs EpHEMT

 商标:Broadcom / Avago 

正向跨导 - 最小值:410 mmho

 NF—噪声系数:0.5 dB 

P1dB - 压缩点:19 dBm 

产品类型:RF JFET Transistors 

工厂包装数量:3000 

子类别:Transistors

Mouser编号：630-ATF-58143-TR1G

制造商编号：ATF-58143-TR1G

制造商：Broadcom / Avago

说明：射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Transistor GaAs Single Voltage

公司简介：

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